Список членов IEEE Electron Devices Society
Эта статья в значительной степени или полностью основана на одном источнике . ( июль 2020 г. ) |
Степень членства Fellow является наивысшей степенью членства и не может быть подана напрямую членом – вместо этого кандидат должен быть номинирован другими. Эта степень членства присваивается Советом директоров IEEE в знак признания высокого уровня продемонстрированных выдающихся достижений. [1]
| Год | Парень | Цитата |
|---|---|---|
| 1968 | Джеймс Майндл | За лидерство и вклад в области микроэлектроники и интегральных схем |
| 1968 | Джеймс Биард | За выдающийся вклад в области оптоэлектроники |
| 1970 | Герберт Кремер | За изобретение дрейфового транзистора и других полупроводниковых приборов |
| 1971 | Ричард Андерсон | За вклад в полупроводники и инженерное образование |
| 1972 | Джордж Хаддад | За вклад в твердотельные и квантовые электронные устройства и инженерное образование |
| 1972 | Мартин Лепсельтер | За вклад в развитие транзисторного и интегрального схемотехнического искусства |
| 1974 | Марвин Уайт | За вклад в теорию и разработку твердотельных электронных устройств, в особенности транзисторов памяти и матриц с зарядовой связью |
| 1975 | Льюис Терман | За вклад в проектирование и разработку полупроводниковой компьютерной памяти и логических схем |
| 1977 | J Земель | За вклад в твердотельную электронику и разработку полупроводниковых соединений IV-VI для инфракрасных фотопроводящих применений |
| 1978 | Дэвид Барб | За вклад в теорию, понимание и разработку приборов с зарядовой связью. |
| 1978 | Джон Осепчук | За вклад в микроволновую технологию и безопасность микроволнового излучения. |
| 1979 | Джеймс Гоелл | За технический вклад и лидерство в области оптических волокон, интегральных оптических схем и миллиметровых волноводов |
| 1979 | Альфред У. Макрей | За лидерство в разработке технологии ионной имплантации и ее применении в производстве полупроводниковых приборов |
| 1981 | Баллато | За вклад в теорию пьезоэлектрических кристаллов и управления частотой. |
| 1981 | Роберт Г. Мейер | За вклад в анализ и проектирование высокочастотных усилителей |
| 1982 | Фред Блюм | За лидерство и вклад в разработку высокоскоростных электронных и оптоэлектронных устройств с использованием соединений III-V |
| 1982 | Уильям Холтон | За техническое лидерство в исследованиях и разработках полупроводников |
| 1982 | Саймон Миддельхук | За вклад в теорию тонких магнитных пленок, магнитные и полупроводниковые технологии и за лидерство в инженерном образовании |
| 1982 | Брюс Вули | За вклад в разработку интегральных схем для систем связи |
| 1983 | Б. Джайант Балига | За вклад в разработку силовых полупроводниковых приборов |
| 1983 | С Берглунд | За вклад в физику и устройства интерфейса металл-оксид-полупроводник |
| 1983 | Ричард Эден | За вклад в разработку высокоскоростных интегральных схем на основе арсенида галлия и фотодетекторов на основе сплавов III-V. |
| 1983 | Джерри Г. Фоссум | За вклад в теорию и технологию кремниевых солнечных элементов и транзисторов |
| 1983 | H Трой Нэгл | За вклад в промышленную электронику, сбор данных и контрольно-измерительные приборы. |
| 1983 | Такуо Сугано | За вклад в полупроводниковые технологии и приборы, а также в инженерное образование. |
| 1984 | Х. Кейси | За вклад в изучение эмиссии соединений III-V на основе основных оптических и примесных свойств |
| 1984 | Роберт У. Даттон | За вклад в компьютерное моделирование кремниевых устройств и процессов изготовления |
| 1984 | Сирил Хилсум | За новаторские теоретические предсказания эффектов отрицательного сопротивления, вызванных фотоэлектронами в арсениде галлия |
| 1985 | Майкл Адлер | За вклад в САПР-моделирование силовых полупроводниковых приборов |
| 1985 | Артур Фойт | За вклад в развитие методов ионной имплантации для изготовления полупроводниковых приборов. |
| 1985 | Раджиндер Хосла | За вклад в развитие твердотельной визуализации и за лидерство в области микроэлектроники |
| 1985 | Джеймс МакГаррити | За вклад в понимание физических механизмов, вызывающих радиационные повреждения в МОП-устройствах |
| 1985 | Джим Пламмер | За вклад в понимание процессов изготовления кремния, физики устройств и высоковольтных интегральных схем |
| 1986 | Дэвид К. Ферри | За вклад в изучение транспорта носителей заряда в полупроводниках и физики субмикронных полупроводниковых приборов. |
| 1986 | Кеннет Гэллоуэй | За вклад в изучение эффектов радиации в микроэлектронике |
| 1986 | Ричард Йегер | За вклад в технологию устройств для высокопроизводительных аналоговых и цифровых компьютерных систем. |
| 1986 | Майкл Томпсетт | За инновации и лидерство в применении приборов с зарядовой связью для обработки изображений, памяти и сигналов |
| 1986 | Кенселл Уайз | За лидерство в области интегрированных твердотельных датчиков и инженерного образования |
| 1986 | Х Ю | За лидерство и вклад в передовые технологии для схем СБИС |
| 1987 | П. Дэниел Дапкус | За разработку процесса осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений для выращивания гетероструктур полупроводниковых соединений III-V |
| 1987 | Джон Хаузер | За вклад в понимание переноса носителей заряда в полупроводниках и в разработку каскадных солнечных элементов. |
| 1987 | Так Нин | За вклад в понимание эффектов горячих электронов в устройствах MOSFET и за достижения в области биполярной технологии |
| 1987 | Ка Салама | За вклад в разработку силовых полупроводниковых приборов и проектирование интегральных схем |
| 1988 | Ричард С. Мюллер | За вклад в разработку твердотельных датчиков и в образование в области твердотельной электроники |
| 1988 | Роберт Бириг | За лидерство в исследованиях GaAs-устройств и технологии СВЧ-микросхем |
| 1988 | Джеймс С. Харрис | За вклад в разработку полупроводниковых материалов и приборов |
| 1988 | Лоуренс Казмерски | За вклад в технологию фотоэлектрических устройств и в электронные материалы и характеристики устройств |
| 1989 | Луи Паррильо | За вклад в развитие КМОП и биполярных интегральных схем |
| 1989 | Майкл Шур | За вклад в разработку высокоскоростных устройств и интегральных схем |
| 1989 | Паллаб Бхаттачарья | За вклад в синтез и характеристику соединений III-V и гетероструктур и их применение в электронных и оптических устройствах |
| 1989 | Рэймонд Боксман | За достижения в теории вакуумной дуги и ее приложениях |
| 1989 | Мадху Гупта | За вклад в характеристику и моделирование шума в высокочастотных полупроводниковых приборах и микроволновых интегральных схемах |
| 1989 | Роберт Хартман | За вклад в повышение надежности полупроводниковых лазеров для волоконно-оптических систем связи |
| 1989 | Джон Кассакян | За вклад в образование и исследования в области силовой электроники |
| 1989 | Кришна Панде | За вклад в технологию полупроводниковых материалов и приборов III-V, в частности за развитие технологии полевых транзисторов на основе фосфида индия и металла-диэлектрика-полупроводника |
| 1989 | Кришна Сарасват | За вклад в металлизацию и межсоединения для СБИС. |
| 1989 | Руди Ван Де Пласше | За вклад в разработку аналоговых интегральных схем |
| 1989 | Э. Виттоц | За вклад в разработку микромощных интегральных схем. |
| 1990 | Гарольд Феттерман | За вклад в расширение оптических технологий в субмиллиметровый и миллиметровый диапазоны волн |
| 1990 | Х Джори | За техническое лидерство в разработке гиротронов |
| 1990 | Джон Оуэнс | За вклад в понимание и применение магнитостатических волн в микроволновых диапазонах частот |
| 1990 | Димитрий Антониадис | За вклад в моделирование и имитацию процесса изготовления, а также в полевые квантовые транспортные устройства |
| 1990 | Сёдзиро Асаи | За вклад в развитие технологии полупроводниковых приборов. |
| 1990 | С Баджорек | За лидерство в разработке и производстве магнитных накопителей данных и высокоскоростных компьютерных коммутационных устройств |
| 1990 | Джо Кэмпбелл | За вклад в разработку полупроводниковых фотодетекторов для световой связи. |
| 1990 | Дж. Доннелли | За разработку методов имплантации значков и их применение в полупроводниковых фотонных устройствах |
| 1990 | Ричард Фэйр | За вклад в понимание диффузии легирующих примесей в кремнии, компьютерное моделирование кремниевых процессов и разработки электронных устройств |
| 1990 | Рэнди Гейгер | За вклад в проектирование дискретных и интегральных аналоговых схем |
| 1990 | Сунг Мо Канг | За технический вклад и лидерство в разработке автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем (СБИС) и систем |
| 1990 | Дэвид Майерс | За пионерскую разработку ионно-лучевой модификации сверхрешеточных напряженных слоев и материалов на основе соединений-полупроводников с квантовыми ямами для новых электронных и оптоэлектронных устройств |
| 1990 | Уильям Сайдлер | За вклад в исследования эффектов электромагнитных импульсов |
| 1990 | Джеральд Стрингфеллоу | За разработку и понимание процесса парофазной эпитаксии металлоорганических соединений для полупроводниковых приборов III-V групп |
| 1990 | Денни Танг | За вклад в разработку и масштабирование высокоскоростных кремниевых биполярных устройств |
| 1991 | Джон Бин | За вклад в кремниевую молекулярно-лучевую эпитаксию |
| 1991 | Натан Блюзер | За вклад в разработку инфракрасных датчиков изображения и гетеропереходных диодных детекторов |
| 1991 | Джеральд Борсук | За техническое лидерство в области твердотельных и вакуумных электронных приборов и за вклад в разработку микроэлектронных фотодетекторов для оптической обработки сигналов |
| 1991 | Гейлон Брем | За вклад в проектирование СВЧ-схем и полупроводниковую обработку монолитных СВЧ-интегральных схем на основе GaAs |
| 1991 | Э. Коэн | За лидерство в развитии монолитных интегральных схем СВЧ и миллиметрового диапазона |
| 1991 | Питер Коттрелл | За разработку конечно-элементного моделирования для МОП-транзисторов и биполярных транзисторов, а также за измерение и моделирование эффектов горячих электронов в МОП-устройствах |
| 1991 | Филип Хауэр | За вклад в понимание и разработку силовых полупроводниковых приборов |
| 1991 | Ренука Джиндал | За вклад в область теории и практики шума твердотельных приборов |
| 1991 | Теодор Каминс | За вклад в материалы, процессы, проектирование и образование в области полупроводниковой электроники |
| 1991 | Марк Кушнер | За вклад в фундаментальное понимание низкотемпературной плазмы |
| 1991 | Роберт Лехени | За вклад в интеграцию оптических и электронных устройств, использующих преимущества материалов InP для телекоммуникационных приложений |
| 1991 | Ники Лу | За вклад в разработку и технологию полупроводниковой памяти |
| 1991 | Аджит Рохатги | За теоретический и экспериментальный вклад в проектирование и изготовление высокоэффективных солнечных элементов |
| 1991 | Джордж Сай-Халас | За вклад в миниатюризацию устройств и разработку новых концепций устройств |
| 1991 | Анджей Стройвас | За вклад в статистически обоснованное компьютерное производство интегральных схем |
| 1991 | Орлин Трапп | За вклад в промышленное обучение в области надежности полупроводников и анализа отказов |
| 1992 | Брайан Экланд | За вклад в разработку специализированных интегральных схем для систем обработки сигналов |
| 1992 | Джеймс Дж. Коулмэн | За вклад в полупроводниковые лазеры посредством инновационных методов эпитаксиального роста и проектирования устройств |
| 1992 | Серхио Кова | За вклад в приборостроение ядерной электроники, в частности, за разработку и демонстрацию кремниевых однофотонных детекторов |
| 1992 | Милтон Фэн | За вклад в разработку имплантированных GaAs и InGaAs транзисторов MESFET миллиметрового диапазона |
| 1992 | Тихиро Хамагучи | За вклад в понимание эффектов горячих электронов в полупроводниках и развитие модуляционной спектроскопии |
| 1992 | Амр Мохсен | |
| 1992 | Хисаши Ситидзё | За вклад в технологию полупроводниковой памяти |
| 1992 | Майкл Строчио | За вклад в понимание квантовых и релятивистских явлений в твердотельной и лазерной плазме |
| 1992 | Эли Яблонович | За вклад в физику полупроводниковых оптических приборов. |
| 1993 | Дэвид Блэкберн | За вклад в понимание и характеристику электротермических свойств и связанных с ними механизмов отказа силовых полупроводниковых приборов |
| 1993 | Джеймс Купер | За исследования времени пролета высокополевого транспорта на границе раздела кремний/диоксид кремния и демонстрацию долговременного хранения заряда в широкозонных полупроводниках |
| 1993 | Гилберт Деклерк | За лидерство и вклад в физику МОП-устройств, технологию ПЗС и методы обработки СБИС |
| 1993 | Уилбур Джонстон | За вклад в технологию оптоэлектронных материалов и устройств |
| 1993 | Димитриос Павлидис | За вклад в разработку и технологию гетеропереходных транзисторов и монолитных СВЧ-интегральных схем |
| 1993 | Зигфрид Сельберхерр | За новаторскую работу в области численного анализа полупроводниковых приборов и процессов их изготовления |
| 1993 | Стивен Сентурия | За вклад в применение технологии микропроизводства в микродатчиках и микроакустиках, а также в характеристику микроэлектронных материалов |
| 1993 | Пол Соломон | За вклад в теорию масштабирования полупроводниковых приборов |
| 1993 | Ричард Тру | За вклад в единую теорию переноса электронного пучка в мощных микроволновых системах |
| 1994 | Гордон Дэй | За технический вклад и лидерство в области измерения световых волн и оптоволоконных датчиков |
| 1994 | Ричард Циолковски | За вклад в теорию локализованных волн и их реализацию в импульсных решетках, а также за вклад в вычислительную электродинамику. |
| 1994 | Аристос Христу | За вклад в повышение надежности микроволновых энергетических устройств |
| 1994 | Джованни Де Микели | За вклад в синтез алгоритмов для проектирования электронных схем и систем |
| 1994 | Лоуренс Дворски | За вклад в пьезоэлектрические и передающие резонаторы, а также полосовые фильтры для телекоммуникационных приложений |
| 1994 | Рональд Гутманн | За вклад в технологию микроволновых полупроводников |
| 1994 | Эвелин Ху | За вклад в разработку высокоточных процессов сухого травления в полупроводниковых соединениях |
| 1994 | Джеймс С. Хванг | За вклад в развитие технологий молекулярно-лучевой эпитаксии, а также гетероструктурных устройств и материалов |
| 1994 | Марк Лундстром | За вклад в физику и моделирование гетероструктурных устройств |
| 1994 | Мартин Пекерар | За вклад и лидерство в области рентгеновской и микролитографической съемки |
| 1994 | Джеймс Спратт | За вклад в проектирование и изготовление радиационно-стойких интегральных схем и достижения в технологии полупроводниковых приборов |
| 1994 | Роберт Шварц | За вклад в разработку высокоскоростных интегральных схем для оптических систем связи. |
| 1994 | Ричард Темкин | За лидерство в разработке и применении когерентных источников миллиметрового и инфракрасного диапазона волн |
| 1994 | Вэнь Ван | За вклад в разработку полупроводниковых приборов посредством инновационного выращивания кристаллов |
| 1994 | Петр Зори | За вклад в разработку и понимание полупроводниковых и газовых лазеров |
| 1995 | Тяо-юань Хуан | За изобретение и демонстрацию полностью перекрывающихся МОП-транзисторов со слаболегированным стоком |
| 1995 | Андре Жеклин | За вклад в понимание и разработку мощных полупроводниковых приборов. |
| 1995 | Чи-юань Лу | За вклад в полупроводниковые технологии и за лидерство в развитии тайваньской индустрии интегральных схем |
| 1995 | Цзо-пинг Ма | За вклад в понимание интерфейса оксид-полупроводника и эффектов горячих носителей заряда |
| 1995 | Сэйки Огура | |
| 1995 | Джон Пьерро | За вклад в разработку малошумящих твердотельных микроволновых усилителей и интегральных схем |
| 1995 | Вилли Сансен | За вклад в систематическое проектирование аналоговых интегральных схем |
| 1995 | Питер Штекер | За лидерство и вклад в проектирование и разработку приборов и схем микроволнового и миллиметрового диапазона волн |
| 1996 | Гарри Чарльз | За лидерство в области технологий корпусирования электроники для космических, морских и биомедицинских электронных систем |
| 1996 | Санджай Баннерджи | За вклад в физику полупроводниковых приборов, используемых в трехмерных интегральных схемах, и низкотемпературную кремний-германиевую эпитаксию с использованием нетермически ассистируемого химического осаждения из паровой фазы. |
| 1996 | Дэвид Карлсон | За вклад в открытие методов получения тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния |
| 1996 | Джозеф Кроули | За вклад в образование и практику в области электростатических процессов, а также за фундаментальный вклад в электрогидродинамику. |
| 1996 | Суприё Датта | За вклад в понимание электронного транспорта в сверхмалых устройствах |
| 1996 | Дж. Майкл Голио | За вклад в характеристику, извлечение параметров и моделирование СВЧ-транзисторов |
| 1996 | Роджер Т. Хау | За основополагающий вклад в технологии микропроизводства |
| 1996 | Хироёси Комия | За вклад в разработку и эксплуатацию полностью автоматизированной линии по производству полупроводников |
| 1996 | Джин П. Лебертон | За вклад в нелинейный электронный транспорт и размерное квантование в полупроводниковых квантовых ямах, квантовых проволоках и квантовых точках, а также в теорию показателя преломления в сверхрешетках |
| 1996 | Алан Льюис | За вклад в физику и проектирование современных комплементарных металло-оксидных полупроводниковых приборов для микроэлектроники больших площадей и сверхбольших интегральных схем. |
| 1996 | Эфраим Сухир | За вклад в применение механики и надежности техники к физическому проектированию и анализу микроэлектронных и волоконно-оптических систем |
| 1996 | Тору Тоябэ | За вклад в численное моделирование устройств и физику металло-оксидно-полупроводниковых приборов |
| 1997 | Герберт Беннетт | За вклад в моделирование тяжелого легирования и физики переноса в полупроводниках |
| 1997 | Говард Калтер | За вклад в развитие DRAM. |
| 1997 | Ларри Карли | За вклад в разработку аналоговых интегральных схем и автоматизированное аналоговое проектирование |
| 1997 | Анджей Филипковски | За вклад в инженерное образование |
| 1997 | Дэниел М. Флитвуд | За вклад в область электронных устройств и материалов |
| 1997 | Джозеф Джакино | За вклад в микромеханические и микроэлектромеханические системы управления |
| 1997 | Стивен Хиллениус | За вклад в область твердотельных технологий и их применение в интегральных схемах |
| 1997 | Казухико Хондзё | За вклад в разработку интегральных схем на основе арсенида галлия |
| 1997 | Хироши Иваи | За вклад в разработку КМОП-БиКМОП-устройств со сверхмалой геометрией. |
| 1997 | Мицумаса Коянаги | За изобретение ячейки DRAM с пакетированными конденсаторами |
| 1997 | Хишам Масуд | За вклад в понимание кинетики окисления кремния, сверхтонких затворных диэлектриков и интерфейса Si-SiO2. |
| 1997 | Ричард Снайдер | За вклад в разработку миниатюрных полосовых задерживающих фильтров высокой мощности и полосовых фильтров с чрезвычайно широкой полосой пропускания для микроволновых применений |
| 1997 | В Трибула | За вклад в разработку и совершенствование технологий производства электроники. |
| 1997 | Осаму Вада | За вклад в разработку оптоэлектронных интегральных схем на основе полупроводников III-V групп (OEIC) |
| 1997 | Чэн Вэнь | За вклад в изобретение и разработку методов микросхем на основе кополярных волноводов |
| 1998 | Марк Лоу | За вклад в моделирование и имитацию процессов в интегральных схемах |
| 1998 | Асад Мадни | За вклад в проектирование и разработку приборов для систем радиоэлектронной борьбы |
| 1998 | Аллен Барнетт | За вклад и техническое руководство в разработку и коммерциализацию фотоэлектрических солнечных элементов. |
| 1998 | Ричард Чепмен | За разработку устройств формирования изображений на основе HgCdTe и вклад в технологию КМОП |
| 1998 | Юнг-кай Чен | За вклад в генерацию сверхкоротких импульсов с использованием полупроводниковых лазеров, интегрированных лазерных модуляторов и высокочастотных InPHBAT |
| 1998 | Майкл Драйвер | За вклад в широкополосные силовые цепи на основе аресеноида галлия. |
| 1998 | Тадаёси Эномото | За вклад в развитие интегральных схем мультимедиа |
| 1998 | Эрик Фоссум | За вклад в разработку датчиков изображения и внутрикристальной обработки изображений |
| 1998 | Барри Гилберт | За разработку усовершенствованной электронной упаковки для высокопроизводительных интегральных схем на основе арсенида галлия. |
| 1998 | Ричард Киль | За вклад в гетероструктурные полевые транзисторы и схемы |
| 1998 | Конили Киркпатрик | За лидерство в разработке и производстве электронных материалов и устройств III-V групп и их применение в военных и коммерческих системах |
| 1998 | Карлтон Осберн | За вклад в кремниевую технологию, включая самовыравнивающиеся силициды, пробой диэлектрика и явления горячих электронов |
| 1998 | Марк Пинто | За вклад в компьютерное проектирование электронных устройств. |
| 1998 | М Айман Шибиб | За вклад в физику приборов с сильным легированием и разработку высоковольтных интегральных схем для телекоммуникационных коммутационных систем |
| 1999 | Дэвид Ламбет | За научный, образовательный и профессиональный вклад в области магнетизма, систем хранения данных и электронных устройств |
| 1999 | Кристофер Сильва | За вклад в применение нелинейных цепей и теории систем к обработке сигналов связи. |
| 1999 | Джорджио Баккарани | За вклад в теорию масштабируемых кремниевых устройств. |
| 1999 | Джеймс Дейтон | За вклад в разработку микроволновых устройств |
| 1999 | Дэн Гебель | За достижения в области плазменных источников и технологий для импульсных силовых переключателей и микроволновых источников |
| 1999 | Юэ Куо | За вклад в технологию и процессы тонкопленочных транзисторов. |
| 1999 | Майкл Меллох | За вклад в технологию устройств на основе карбида кремния |
| 1999 | Тору Накамура | За вклад в разработку высокоскоростных биполярных интегральных схем |
| 1999 | Хайнер Рюссель | За внедрение технологии ионной имплантации в немецкую полупроводниковую промышленность |
| 1999 | Нихал Синнадурай | За вклад в область экономически эффективной и надежной корпусировки микроэлектроники |
| 1999 | Эндрю Стекль | За вклад в имплантацию сфокусированного ионного пучка и изготовление полупроводниковых приборов |
| 1999 | Дуайт Стрейт | За вклад в разработку и производство гетеропереходных материалов и устройств |
| 1999 | Кэри Янг | За вклад в микроэлектронное образование и понимание свойств интерфейса устройств на основе кремния |
| 1999 | Иэн Янг | За вклад в реализацию микропроцессорных схем и разработку технологий |
| 2000 | Питер Асбек | За разработку гетероструктурных биполярных транзисторов и их применение |
| 2000 | Э Фред Шуберт | За вклад в легирование полупроводников и создание резонансных устройств |
| 2000 | Богдан Вилямовский | За вклад в промышленную электронику и статические индукционные устройства |
| 2000 | Джеффри Бокор | За вклад в оптическую литографию в EUV-области спектра и глубоких субмикронных МОП-транзисторов |
| 2000 | Леонард Брилсон | За вклад в понимание и управление полупроводниковыми интерфейсами и электрическими контактами с помощью методов атомного масштаба |
| 2000 | Кайо Феррейра | За вклад в разработку вентильных реактивных двигателей и генераторов, применяемых в современных электрических самолетах |
| 2000 | Тор Фьелдли | За вклад в моделирование полупроводниковых приборов и разработку AIM spice |
| 2000 | Роберт Колбас | За вклад в понимание и разработку лазеров и излучателей света на основе гетероструктур с квантовыми ямами. |
| 2000 | Джон Хейг Марш | За вклад в развитие интегральной оптики на основе полупроводниковых квантовых ям |
| 2000 | Масатоши Мигитака | За вклад в исследования и разработку кремниевых высокотемпературных интегральных схем |
| 2000 | Арто Нурмикко | За вклад в лазерную науку и оптоэлектронные приборы |
| 2000 | Григорий Нусинович | За вклад в теорию гиротронных генераторов и усилителей, а также циклотронных авторезонансных мазеров |
| 2000 | Дэвид Палфри | За вклад в моделирование гетеропереходных биполярных полупроводниковых приборов |
| 2000 | Рональд Шримпф | За вклад в понимание и моделирование физических механизмов, управляющих реакцией полупроводниковых приборов на воздействие радиации |
| 2000 | Юань-чэнь Сунь | За вклад в передовую технологию КМОП |
| 2000 | Наоки Ёкояма | За вклад в разработку самосовмещенных интегральных схем MESFET на основе арсенида галлия. |
| 2001 | Эдвард Резек | За вклад в разработку монолитных СВЧ-интегральных схем и оптоэлектронных приборов на основе GaAs и InP |
| 2001 | Ричард Аренкиль | За вклад в измерение времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых материалах |
| 2001 | Барри Берк | За вклад в разработку технологий приборов с зарядовой связью для обработки изображений и сигналов |
| 2001 | Их-чин Чен | За лидерство в разработке передовых технологий КМОП |
| 2001 | Сорин Кристоловяну | За вклад в физику, технологию и характеристику устройств на основе кремния-на-изоляторе |
| 2001 | Санг Ху Дхонг | За вклад в разработку высокоскоростных процессоров и микросхем памяти |
| 2001 | Самир Эль-Газали | За вклад в анализ и моделирование микроволновых устройств и схем. |
| 2001 | Сезар Гонсалес | За вклад в алгоритмы кодирования MPEG и лидерство в их использовании. |
| 2001 | Адитья Гупта | За вклад в развитие технологии СВЧ-монолитных интегральных схем и лидерство в разработке производственных процессов |
| 2001 | Ёсиаки Хагивара | За новаторскую работу и разработку твердотельных формирователей изображений. |
| 2001 | Вэй Хванг | За вклад в технологию ячеек высокой плотности и разработку высокоскоростной динамической памяти с произвольным доступом |
| 2001 | Кей Мэй Лау | За вклад в разработку материалов и устройств с гетероструктурой полупроводниковых соединений III-V |
| 2001 | Чин Ли | За новаторские исследования в области технологии бесфлюсовой сварки и вклад в разработку средств теплового проектирования электронных устройств и корпусов. |
| 2001 | Барух Левуш | За лидерство в разработке теоретических и вычислительных моделей источников излучения свободных электронов |
| 2001 | Кэндзи Ниши | За вклад в моделирование полупроводниковых процессов и устройств и разработку программного обеспечения для их моделирования |
| 2001 | Джон Орлофф | За вклад в технологию фокусированного ионного пучка |
| 2001 | Стивен Пирто | За разработку передовых технологий обработки полупроводников и их применение в устройствах на основе сложных полупроводников |
| 2001 | Джон Пшибыш | За вклад в разработку и применение цифровых схем Джозефсона в электронных системах, особенно в радарах, спутниках связи и сетях коммутации данных |
| 2001 | Мухаммад Рашид | За лидерство в образовании в области силовой электроники и вклад в методологии анализа и проектирования твердотельных преобразователей мощности |
| 2001 | Кришна Шенай | За вклад в понимание, разработку и применение силовых полупроводниковых приборов и схем |
| 2001 | Риту Шривастава | За вклад в разработку высокопроизводительной технологии КМОП-памяти и продуктов |
| 2001 | Джеймс Штурм | За вклад в создание новых полупроводниковых приборов на основе кремния и крупногабаритной электроники |
| 2001 | Ян Юань Ван | За лидерство в исследованиях и образовании в области полупроводников в Китае |
| 2002 | Минг Ву | За вклад в оптические микроэлектромеханические системы и высокоскоростную оптоэлектронику |
| 2002 | Нараин Арора | За вклад в разработку компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования |
| 2002 | Иоахим Бургхарц | За вклад в разработку интегрированных высокоскоростных и радиочастотных кремниевых устройств и компонентов |
| 2002 | Ке-юнг Чен | За вклад в создание полупроводниковых гетероструктурных материалов и приборов с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии |
| 2002 | Нико Де Рой | За вклад в микроэлектрические/механические системы и передачу технологий на рынок |
| 2002 | Эвангелос Элефтериу | За вклад в эквализацию и кодирование, а также за обнаружение максимального правдоподобия с прогнозированием шума в магнитной записи. |
| 2002 | Дж. Хаслетт | За вклад в высокотемпературную приборотехнику и шумовую диагностику в твердотельной электронике |
| 2002 | Ченнупати Джагадиш | За вклад в интеграцию оптоэлектронных устройств на основе полупроводниковых соединений III-V |
| 2002 | Ральф Джеймс | За вклад и лидерство в разработке широкозонных полупроводниковых приборов, используемых для обнаружения и визуализации рентгеновского и гамма-излучения |
| 2002 | Аллан Джонстон | За вклад в понимание эффектов космического излучения в оптоэлектронике |
| 2002 | Леда Лунарди | За вклад в разработку высокопроизводительного 1,55 мкм монолитно-интегрированного фотоприемника для оптической связи |
| 2002 | Лоуренс Пиледжи | За вклад в моделирование и симуляцию интегральных схем |
| 2002 | Вольфганг Пород | За вклад в разработку концепций и архитектур схем для наноэлектроники |
| 2002 | Раджендра Сингх | За вклад и техническое лидерство в области обработки материалов и производства полупроводниковых приборов |
| 2002 | Манфред Тумм | За вклад в разработку и применение гиротронных генераторов, крупногабаритных преобразователей СВЧ-мод и компонентов линий передачи |
| 2002 | Тошиаки Цутия | За вклад в понимание физики надежности МОП-устройств и разработку технологий КМОП, устойчивых к воздействию горячих носителей |
| 2002 | Чарльз Ту | За вклад в молекулярно-лучевую эпитаксию новых полупроводников III-V |
| 2002 | Ян Ван Дер Шпигель | За вклад в биологически мотивированные датчики и системы обработки информации |
| 2002 | Тосиаки Ячи | За вклад в создание силовых полупроводниковых и микромагнитных приборов. |
| 2003 | Джамал Дин | За вклад в моделирование, шум и извлечение параметров в кремниевых транзисторах и высокоскоростных фотодетекторах |
| 2003 | Дэвид Франк | За вклад в разработку твердотельных устройств и сверхмалых КМОП-устройств. |
| 2003 | Уильям Галлахер | За вклад в разработку оксидно-барьерных туннельных переходов для применения в сверхпроводящих и магнитных устройствах |
| 2003 | Дэвид Хараме | За вклад в развитие технологий SiGe гетеропереходных биполярных транзисторов и BiCMOS |
| 2003 | Нэн Джокерст | За вклад в интеграцию и компоновку оптоэлектронных устройств для реализации оптических соединений и интерфейсов. |
| 2003 | Хой-синг Квок | За новаторские исследования в области технологии жидкокристаллических дисплеев |
| 2003 | Берн Лин | За вклад в теорию литографии, инструментальную оснастку, маски и технологию изготовления |
| 2003 | Тадаси Нисимура | За лидерство в разработке современных КМОП-устройств и технологических процессов |
| 2003 | Умберто Равайоли | За вклад в моделирование электронных устройств методом Монте-Карло |
| 2003 | Марк Родвелл | За вклад в создание высокоскоростных электронных устройств и интегральных схем |
| 2004 | Стивен Гудник | За вклад в основы транспорта носителей заряда и полупроводниковые приборы |
| 2004 | Гэри Броннер | За вклад в технологию динамической памяти с произвольным доступом |
| 2004 | Константин Булучеа | За вклад в транзисторную технику в области силовой электроники |
| 2004 | Казимер Де Кузатис | За вклад в волоконно-оптические системы передачи данных |
| 2004 | Роберт Эклунд | За лидерство в разработке и производстве субмикронных КМОП-технологий |
| 2004 | Хирому Фудзиока | За вклад в электронно-лучевое тестирование полупроводниковых приборов и схем |
| 2004 | Эрик Хейне | За вклад в разработку систем полупроводниковых детекторов и радиационно-устойчивой электроники считывания данных детекторов |
| 2004 | Сюдзи Икеда | За вклад в разработку и производство статической оперативной памяти |
| 2004 | Колин Макэндрю | За вклад в компактное и статистическое моделирование полупроводниковых приборов |
| 2004 | Саваки Нобухико | За вклад в разработку полупроводниковых материалов и приборов на основе нитридов III группы |
| 2004 | Хироши Нодзава | За вклад в разработку энергонезависимой полупроводниковой памяти |
| 2004 | Микаэль Остлинг | За вклад в технологию полупроводниковых приборов и образование |
| 2004 | Ежи Рузилло | За вклад в сверхтонкое оксидирование в микроэлектронном производстве |
| 2004 | Виктор Рыжий | За вклад в разработку инфракрасных фотодетекторов на основе квантовых ям и инфракрасных фотодетекторов на основе квантовых точек. |
| 2004 | Дэвид Скотт | За вклад в технологии и схемы КМОП и БИКМОП |
| 2004 | Дуглас Веррет | За лидерство в коммерциализации биполярных и BiCMOS-технологий |
| 2004 | Шин-цон Ву | За вклад в разработку жидкокристаллических дисплеев и настраиваемых фотонных устройств |
| 2005 | Джейсон С. Ву | За вклад в физику и технологию наноразмерных кремниевых изоляторов и объемных металлооксидных полупроводниковых приборов |
| 2005 | Дональд Вунш | За вклад в аппаратную реализацию подкрепления и неконтролируемого обучения |
| 2005 | Суприё Бандёпадхьяй | За вклад в применение наноструктур в устройствах. |
| 2005 | Роберт Бауманн | За вклад в понимание влияния механизмов земного излучения на надежность коммерческой электроники |
| 2005 | Дуэйн Бонинг | За вклад в моделирование и управление в производстве полупроводников |
| 2005 | Клифтон Фонстад | За лидерство в области гетероструктурных полупроводниковых приборов. |
| 2005 | Уильям Френсли | За вклад в создание квантовых полупроводниковых приборов нанометрового масштаба |
| 2005 | Гвидо Гроесенекен | За вклад в физическое понимание и моделирование надежности полевых транзисторов на основе металл-оксида-полупроводника |
| 2005 | Джордж Хейтер | За вклад в разработку СВЧ-схем, включая линейные усилители и пространственно-разнесенные сумматоры |
| 2005 | Тадао Ишибаши | За вклад в высокоскоростные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы |
| 2005 | Благородный Джонсон | За вклад в контроль примесей в полупроводниках |
| 2005 | Масааки Кузухара | За вклад в разработку микроволновых энергетических приборов групп III-V. |
| 2005 | Джой Ласкар | За вклад в моделирование и разработку модулей высокочастотной связи |
| 2005 | Картикея Майарам | За вклад в моделирование связанных устройств и схем |
| 2005 | Дейрдре Мелдрам | За вклад в автоматизацию генома |
| 2005 | Хисаё Момосе | За вклад в сверхтонкие затворные оксидно-металло-полупроводниковые полевые транзисторы |
| 2005 | Ютака Омори | За вклад в разработку органических и полупроводниковых светоизлучающих материалов и устройств |
| 2005 | Синдзи Окадзаки | За вклад в технологию повышения разрешения в оптической и электронно-лучевой литографии. |
| 2005 | Фан Чжэн Пэн | За вклад в топологию, управление и применение многоуровневых преобразователей мощности. |
| 2005 | Марк Роддер | За вклад в технологию глубоких субмикронных комплементарных металло-оксидных полупроводников |
| 2005 | Энрико Санджорджи | За вклад в моделирование и характеристику горячих носителей и нестационарных транспортных эффектов в малых кремниевых устройствах |
| 2005 | Филлип Смит | За вклад в разработку микроволновых транзисторов с высокой подвижностью электронов |
| 2005 | Юзер Васи | За лидерство в образовании в области микроэлектроники |
| 2005 | Софи Вердонкт-Вандебрук | За лидерство в разработке систем документов |
| 2005 | Лоис Уолш | За лидерство в надежности электронных устройств |
| 2005 | Казуо Яно | За вклад в разработку наноструктурированных кремниевых устройств и схем, а также усовершенствованной КМОП-логики |
| 2006 | Андреас Андреу | За вклад в энергоэффективные сенсорные микросистемы |
| 2006 | Уильям Чен | За вклад в технологию упаковки и сборки |
| 2006 | Стив Чанг | За вклад в надежность сверхтонких оксидных комплементарных металло-оксидных полупроводниковых приборов (КМОП) |
| 2006 | Гектор Де Лос Сантос | За вклад в разработку устройств и приложений на основе радиочастотных (РЧ) и микроволновых микроэлектромеханических систем (МЭМС) |
| 2006 | Симон Делеонибус | За вклад в технологию наномасштабных устройств на основе комплементарных металло-оксидных полупроводников (КМОП). |
| 2006 | Мартин Джайлс | За вклад в технологию автоматизированного проектирования (TCAD) моделирования процессов и устройств. |
| 2006 | Хидеки Хаяши | За вклад и лидерство в области технологий полупроводниковых приборов |
| 2006 | Ларри Хорнбек | За изобретение, разработку и применение цифрового микрозеркального устройства |
| 2006 | Цинь Хуан | За вклад в технологию тиристоров с запиранием эмиттера и ее применение |
| 2006 | Гэри Мэй | За вклад в производство полупроводников и инженерное образование |
| 2006 | Дэвид Сейлер | За лидерство в развитии критической метрологии и измерительной науки на микро- и наноуровнях |
| 2006 | Уша Варшней | За техническое лидерство в области сенсорных технологий и систем |
| 2006 | Кацуёси Васио | За вклад в технологии высокоскоростных кремниевых и кремниево-германиевых биполярных/Bi комплементарных металлооксидных полупроводников (КМОП) устройств и схем |
| 2006 | Бернелл Уэст | За вклад в создание высокопроизводительного автоматического испытательного оборудования |
| 2006 | Пол Франзон | За вклад в разработку кода корпуса микросхемы. |
| 2007 | Джованни Гионе | За вклад в численное физическое моделирование пассивных и активных интегрированных микроволновых компонентов |
| 2007 | Виктор Чен | За вклад в частотно-временной анализ для радиолокационной визуализации и извлечения целевых признаков |
| 2007 | Квонг-кит Чой | За вклад в технологию инфракрасных фотодетекторов на квантовых ямах |
| 2007 | Т Пол Чоу | За вклад в интеллектуальные силовые полупроводниковые приборы |
| 2007 | Чарвака Дуввури | За вклад в разработку устройств электростатического разряда и методов защиты конструкций для интегральных схем |
| 2007 | Филипп Хочан | За вклад в разработку недорогой технологии перевернутого кристалла |
| 2007 | Такаюки Кавахара | За вклад в разработку низковольтных маломощных схем оперативной памяти |
| 2007 | Бамман Ким | За вклад в линейные усилители мощности, арсенид-галлиевые силовые приборы СВЧ и миллиметрового диапазона и монолитные СВЧ-интегральные схемы |
| 2007 | Цу-Дже Кинг | Для применения тонких кремний-германиевых пленок в металлооксидных полупроводниковых транзисторах и микроэлектромеханических системах |
| 2007 | Митико Миура-Маттауш | За вклад в компактное моделирование полевых транзисторов на основе наноразмерных металлооксидных полупроводников |
| 2007 | Кларк Ту-куонг Нгуен | За вклад в физику и технологию микроэлектромеханических систем |
| 2007 | Джаясимха Прасад | За вклад в разработку биполярных транзисторов на основе гетеропереходов на основе полупроводниковых соединений |
| 2007 | Паскуалина Сарро | За вклад в разработку микромашинных датчиков, приводов и микросистем |
| 2007 | Ян-куин Су | За вклад в исследования и образование в области оптоэлектроники и нанофотоники |
| 2007 | Джон Вуд | За вклад в нелинейные микроволновые устройства и поведенческое моделирование, а также технологию |
| 2008 | Джон Буск | За вклад в вакуумную электронику и микроволновую обработку материалов |
| 2008 | Акинтунде Акинванде | За вклад в развитие цифровой самосовмещающейся затворной технологии и вакуумных микроэлектронных приборов |
| 2008 | Джо Брюэр | За вклад в технологию интегральных схем энергонезависимой памяти и архитектуру цифрового сигнального процессора |
| 2008 | Карлос Диас | За вклад в технологию глубокого субмикронного литья КМОП |
| 2008 | Гэри Феддер | За вклад в разработку интегрированных микроэлектромеханических системных процессов и методологий проектирования |
| 2008 | Майкл Фу | За вклад в оценку стохастического градиента и оптимизацию моделирования |
| 2008 | Паоло Гарджини | За лидерство в глобализации и реализации дорожной карты технологий для полупроводников |
| 2008 | Фернандо Гуарин | За вклад в полупроводниковые материалы и надежность |
| 2008 | Хироки Хамада | За вклад в создание красных полупроводниковых лазерных диодов и тонкопленочных транзисторов на основе поликристаллического кремния |
| 2008 | Грегг Хигаши | За вклад в мокрую химическую обработку кремния |
| 2008 | Минхвей Хонг | За вклад в разработку полупроводниковых МОП-транзисторов III-V |
| 2008 | Гарольд Хосак | За вклад в разработку устройств резонансного туннелирования и визуализации |
| 2008 | Эйши Ибэ | За вклад в анализ мягких ошибок, вызванных нейтронами, для полупроводниковых запоминающих устройств |
| 2008 | Мин-доу Кер | За вклад в электростатическую защиту в интегральных схемах и оптимизацию производительности микросистем СБИС |
| 2008 | Ракеш Кумар | За предпринимательское лидерство в области интегральных схем |
| 2008 | Массимо Рудан | За вклад в теорию и моделирование переноса тока в полупроводниковых приборах |
| 2008 | Джуо-мин Шю | За лидерство в микроэлектронной промышленности |
| 2008 | Майкл Симпсон | За вклад в нанотехнологии в области инженерных устройств и биологии |
| 2008 | Хой-джун Ю | За вклад в разработку маломощных и высокоскоростных СБИС |
| 2008 | Пол Кит Лай Ю | За вклад в разработку полупроводниковых волноводных модуляторов и детекторов |
| 2009 | Гомер Алан Мэнтус | За вклад в моделирование силовых электронных устройств |
| 2009 | Ив Байенс | За вклад в широкополосные и миллиметровые волновые схемы для оптической и беспроводной связи |
| 2009 | Александр Брагинский | За лидерство в исследованиях и разработках в области магнетизма и прикладной сверхпроводимости |
| 2009 | Кор Клэйс | За вклад в физику полупроводниковых приборов, дефектотехнику и характеристику низкочастотного шума |
| 2009 | Викрам Далал | За вклад в разработку тонкопленочных фотоэлектрических материалов и устройств для преобразования энергии |
| 2009 | Николас Эконому | За лидерство в разработке и коммерциализации систем сфокусированных ионных пучков |
| 2009 | Тахир Гани | За вклад в разработку глубоких субмикронных металлооксидных полупроводниковых транзисторов для микропроцессоров |
| 2009 | Сёдзи Кавахито | За вклад в интерфейс датчиков, обработку сигналов датчиков и многоуровневую сигнализацию |
| 2009 | Константин Лукин | За вклад в исследования в области шумовых и хаотических волновых радаров |
| 2009 | Тимоти Мэлони | За вклад в защиту полупроводниковых компонентов от электростатического разряда |
| 2009 | Джо Кферсон | За вклад в физику и технику надежности и применение в интегральных схемах |
| 2009 | Маттиас Пасслак | За вклад в технологию III-V металлов-оксидов-полупроводников |
| 2009 | Адам Скорек | За вклад в электротермический анализ промышленных процессов |
| 2009 | Роберт Уоллес | За вклад в разработку высоко-k диэлектрических материалов для затворов интегральных схем |
| 2009 | Альберт Ванг | За вклад в проектирование, ориентированное на надежность, и систем на кристалле |
| 2009 | Шань Ван | За вклад в магнитные материалы и устройства |
| 2009 | Ричард Уизерс | За разработку сверхпроводящих и криогенных радиочастотных схем для ядерно-магнитных резонансных зондов |
| 2009 | Чжипин Юй | За вклад в моделирование и имитацию современных полупроводниковых приборов |
| 2009 | Энрико Занони | За вклад в повышение надежности полупроводниковых приборов |
| 2009 | Джон Золпер | За лидерство в области электроники на основе полупроводниковых соединений |
| 2010 | Амитава Чаттерджи | За вклад в технологию комплементарных металло-оксидных полупроводниковых приборов и защиту от электростатических разрядов на кристалле |
| 2010 | Марио Дагенаис | За вклад в фотонную корреляцию, полупроводниковые приборы и интеграционные технологии |
| 2010 | Лун-шэн Фан | За вклад в микроэлектромеханические системы |
| 2010 | Йогеш Джанчандани | За вклад в разработку кремниевых микроактюаторов и микроплазм на кристалле |
| 2010 | Масаси Хоригути | За вклад в схемотехнические решения для маломощных запоминающих устройств высокой плотности |
| 2010 | Димитрис Иоанну | За вклад в надежность и характеристику устройств и материалов на основе кремния на изоляторе |
| 2010 | Юсуф Леблебичи | За вклад в надежность и методы проектирования интегральных схем и систем |
| 2010 | Патрик Ленахан | За вклад в понимание радиационного повреждения и надежности металло-оксидных полупроводниковых приборов |
| 2010 | Чинг Фу Линь | За вклад в широкополосные полупроводниковые оптические устройства |
| 2010 | Кайзад Мистри | За вклад в разработку высокопроизводительной технологии комплементарных металло-оксидных полупроводников и обеспечение надежности |
| 2010 | Арокия Натан | За вклад в технологии тонкопленочных транзисторов |
| 2010 | Квок Нг | За вклад в оптимизацию внутренних паразитных эффектов в конструкции полевых транзисторов на основе металл-оксид-полупроводника |
| 2010 | Ясухиса Омура | За вклад в технологию, анализ и моделирование кремниевых изоляторных устройств |
| 2010 | Гэри Паттон | За вклад в разработку кремниево-германиевых гетеропереходных биполярных транзисторов |
| 2010 | Джин Ку Ри | За вклад в разработку монолитных интегральных схем на основе арсенида галлия, СВЧ и миллиметрового диапазона волн |
| 2010 | Томас Скотницкий | За вклад в разработку моделей полевых транзисторов на основе металл-оксида-полупроводника и передовых полупроводниковых технологий |
| 2010 | Роберт Уайт | За вклад в цифровое управление питанием в системах электропитания вычислительного и телекоммуникационного оборудования |
| 2010 | Шумпей Ямазаки | За вклад и лидерство в индустриализации технологий энергонезависимой памяти и тонкопленочных транзисторов |
| 2010 | Джордж Зентаи | За вклад в развитие цифровых рентгеновских томографов |
| 2011 | Пол Р. Бергер | За вклад в понимание, разработку и изготовление кремниевых резонансных межзонных туннельных устройств и схем |
| 2011 | Пол Дэвис | За разработку биполярных интегральных схем |
| 2011 | Асен Асенов | За вклад в понимание и прогнозирование изменчивости полупроводниковых приборов посредством моделирования и имитации |
| 2011 | Альберт Чин | За вклад в диэлектрики с высоким К и металлические затворные электроды для комплементарных металлооксидных полупроводников |
| 2011 | Джен-инн Чьи | За вклад в оптоэлектронные приборы на основе полупроводниковых соединений III-V |
| 2011 | Бернард Дьени | За вклад в развитие наномагнетизма и спин-электронных устройств, включая спиновые клапаны |
| 2011 | Вероник Ферле-Кавруа | За вклад в понимание воздействия радиации на электронные устройства |
| 2011 | Диг Хисамото | За вклад в разработку комплементарных металло-оксидных полупроводниковых приборов |
| 2011 | Марк Ицлер | За лидерство в технологиях лавинных фотодиодов |
| 2011 | Ын Ким | За вклад в микроэлектромеханические системы |
| 2011 | Дирк БМ Клаассен | За вклад в моделирование и имитацию полупроводниковых приборов |
| 2011 | Томас Кюх | За вклад в разработку электронных материалов для эпитаксиальных устройств |
| 2011 | Сантош Куринец | За лидерство в интеграции инновационных исследований в области микроэлектроники в инженерное образование |
| 2011 | Джеймс Лу | За вклад в технологию трехмерных интегральных схем |
| 2011 | Паоло Лугли | За вклад в наноструктурированные материалы и устройства |
| 2011 | Крис Мак | За вклад в микролитографию полупроводников |
| 2011 | Владимир Митин | За вклад в разработку датчиков и детекторов |
| 2011 | Кеннет О. | За вклад в разработку сверхвысокочастотных комплементарных схем на основе металл-оксид-полупроводников |
| 2011 | Ir Puers | За вклад в имплантируемые микроэлектромеханические системы |
| 2011 | Чжэн Шэнь | За вклад в разработку латеральных мощных полевых транзисторов на основе металл-оксид-полупроводника |
| 2011 | Джеймс Статис | За вклад в надежность затвора-оксида комплементарного металл-оксидного полупроводника |
| 2011 | Деннис Сильвестр | За вклад в энергоэффективные интегральные схемы |
| 2011 | Цзе Сюэ | За вклад в обеспечение живучести и качества обслуживания компьютерных сетей |
| 2011 | Джеффри Вельсер | За лидерство в области новых технологий устройств для компьютерных приложений |
| 2012 | Клиффорд Кинг | За вклад в разработку кремниево-германиевых гетеропереходных устройств и технологий |
| 2012 | Джон Сьюл | За вклад в понимание тонких диэлектрических пленок затвора |
| 2012 | Анант Агарвал | За вклад в технологию силовых устройств на основе карбида кремния |
| 2012 | Каустав Баннерджи | За вклад в моделирование и проектирование наномасштабных интегральных схемных соединений |
| 2012 | Зейнеп Челик-дворецкий | За вклад в понимание явлений шума и флуктуации в твердотельных устройствах |
| 2012 | Луиджи Коломбо | За вклад в разработку инфракрасных детекторов и диэлектриков с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости |
| 2012 | Джей Дэвид | За вклад в лавинные фотодиоды и ударную ионизацию в полупроводниках |
| 2012 | Дональд Гарднер | За вклад в развитие технологий межсоединений интегральных схем и интегральных индукторов |
| 2012 | Надим Хаддад | За разработку технологии радиационно-стойких полупроводниковых приборов и изделий для космических применений |
| 2012 | Вильфрид Хэнш | За вклад в физику и масштабирование полевых транзисторных устройств на основе металл-оксид-полупроводника |
| 2012 | Фрэнсис Куб | За лидерство в разработке широкозонной полупроводниковой силовой электроники |
| 2012 | Олег Муханов | За лидерство в исследованиях и разработках сверхпроводящей цифровой электроники |
| 2012 | Андреас Нойбер | За вклад в физику поверхностного пробоя диэлектрика в сильных электрических полях |
| 2012 | Энтони Оутс | За вклад в проектирование и понимание надежности межсоединений в интегральных схемах |
| 2012 | Сюнри Ода | За вклад в разработку устройств на основе кремниевых квантовых точек |
| 2012 | Уильям Палмер | За лидерство и вклад в развитие систем и источников микроволновых и миллиметровых волн |
| 2012 | Ци-Лин Пан | За вклад в оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства для сверхбыстрой и терагерцовой фотоники |
| 2012 | Унил Перера | За вклад в квантовые структуры для инфракрасного и терагерцового обнаружения |
| 2012 | Валлури Рао | За вклад в технологии характеризации микропроцессоров и логических схем |
| 2012 | Джонни Син | За вклад в разработку и коммерциализацию силовых полупроводниковых приборов |
| 2012 | Крис Ван Де Валле | За вклад в теорию интерфейсов, легирования и дефектов в полупроводниках |
| 2012 | Эдвард Ю | За вклад в изучение характеристик и применение полупроводниковых наноструктур в устройствах |
| 2013 | Артур Моррис | За разработку и коммерциализацию КМОП-радиочастотных микроэлектромеханических систем |
| 2013 | Джон Вербонкёр | За вклад в вычислительную физику плазмы и применение плазменных устройств |
| 2013 | Рамачандра Ачар | За вклад в анализ межсоединений и целостности сигналов в высокоскоростных проектах |
| 2013 | Роберт Эйткен | За вклад в тестирование и диагностику интегральных схем |
| 2013 | Картер Армстронг | За техническое лидерство в разработке источников мощного микроволнового и миллиметрового излучения, особенно их силовых модулей |
| 2013 | Дэвид Камминг | За вклад в разработку интегрированных датчиков и микросистемных технологий |
| 2013 | Суман Датта | За вклад в развитие высокопроизводительных современных кремниевых и полупроводниковых транзисторных технологий |
| 2013 | Такатомо Эноки | За вклад в разработку высокоскоростных полупроводниковых интегральных схем для оптических и беспроводных систем связи [2] |
| 2013 | Кеннет Хансен | За техническое лидерство в области беспроводной связи |
| 2013 | Рави Махаджан | За вклад в технологию электронных корпусов и терморегулирование микропроцессоров |
| 2013 | Сиан Матхуна | За лидерство в разработке источников питания с использованием микромагнетизма на кремнии |
| 2013 | Карлос Мазуре | За лидерство в области технологий кремния на изоляторах и памяти |
| 2013 | Гауденцио Менегессо | За вклад в физику надежности приборов на основе сложных полупроводников |
| 2013 | Субхасиш Митра | За вклад в разработку и тестирование надежных интегральных схем |
| 2013 | Масааки Нива | За вклад в технологию КМОП с использованием материалов с высокой диэлектрической проницаемостью и металлическим затвором |
| 2013 | Дэвид Перро | За вклад в разработку и применение сверхвысокочастотных силовых электронных преобразователей |
| 2013 | Джон Робертсон | За вклад в понимание диэлектриков с высоким содержанием диэлектриков и металлических затворных электродов для технологии КМОП |
| 2013 | Джон Спарго | За лидерство в области сверхпроводящей электроники и смежных технологий |
| 2013 | РП Такур | За лидерство в разработке и внедрении однопластинчатой технологии в производстве полупроводников |
| 2013 | Томас Тайс | За лидерство в развитии полупроводниковых технологий |
| 2013 | Чэнь-хуа Юй | За лидерство в разработке технологии межсоединений для интегральных схем |
| 2014 | Ричард Браун | За вклад в разработку микросистем |
| 2014 | Сэйити Аритоме | За вклад в технологии флэш-памяти |
| 2014 | Бабу Чаламала | За вклад в разработку современных материалов и технологий устройств для вакуумной микроэлектроники и автоэмиссионных дисплеев |
| 2014 | Шоу-джин Чанг | За вклад в создание наномасштабных фотонных, электронных и сенсорных устройств |
| 2014 | Цзин Кевин Чен | За вклад в технологии гетеропереходных транзисторов на основе полупроводниковых соединений |
| 2014 | Дональд Дисней | За вклад в разработку интегральных схем питания и приложений для повышения энергоэффективности |
| 2014 | Ичиро Фухимори | За вклад в преобразователи данных с избыточной выборкой и гигабитные проводные трансиверы |
| 2014 | Казунари Ишимару | За вклад в статическую память с произвольным доступом и комплементарные металло-оксидные полупроводниковые приборы |
| 2014 | Бёнхо Ли | За вклад в дифракционную оптику и технологии трехмерных дисплеев |
| 2014 | Тайити Оцудзи | За вклад в технологию плазмонных полупроводниковых интегральных устройств для терагерцового зондирования |
| 2014 | Дэниел Радак | За лидерство в области технологий микросхем и корпусирования микроволн и миллиметровых волн |
| 2014 | Жан-Пьер Раскин | За вклад в определение характеристик МОП-транзисторов на основе кремния на изоляторе и МЭМС-устройств |
| 2014 | Якобус Сварт | За вклад в образование в области микроэлектроники в Бразилии |
| 2014 | Шринивас Тадигадапа | За вклад в микроэлектромеханические системы для жидкостных и биохимических датчиков |
| 2014 | Мирча Стэн | За вклад в проектирование схем и систем СБИС с учетом энергопотребления и температуры |
| 2015 | Дэвид Эйб | За лидерство и вклад в разработку мощных вакуумных электронных приборов микроволнового и миллиметрового диапазона |
| 2015 | C Аутентификация | За вклад в технологию напряженных кремниевых транзисторов |
| 2015 | Виктор Брайт | За вклад в микро- и наноэлектромеханические системы |
| 2015 | Джон Конли | За вклад в технологию полупроводниковых процессов с целью повышения радиационной стойкости МОП-приборов |
| 2015 | Джон Даллесасс | За вклад в окисление полупроводников III-V групп для производства фотонных устройств |
| 2015 | Вэйлэун Фанг | За вклад в методы измерения и технологии обработки для микроэлектромеханических систем |
| 2015 | Лоренцо Фараоне | За разработку полупроводниковых оптоэлектронных материалов и приборов |
| 2015 | Д Гупта | За вклад в разработку сверхпроводниковых цифровых радиочастотных приемников |
| 2015 | Рэй-хуа Хорнг | За вклад в разработку сверхярких светодиодов |
| 2015 | Джузеппе Ианнакконе | За вклад в моделирование транспортных и шумовых процессов в наноэлектронных устройствах |
| 2015 | Сафа Касап | За вклад в разработку фотопроводящих датчиков для рентгеновской визуализации |
| 2015 | Цунэнобу Кимото | За вклад в разработку материалов и устройств на основе карбида кремния |
| 2015 | Хироши Кондо | За вклад в технологии СВЧ и миллиметровых цепей MMIC |
| 2015 | Пол Ли | За вклад в разработку технологии датчиков изображения КМОП и датчика с активным пикселем на основе фотодиода |
| 2015 | Юн Лю | За вклад в разработку корпусов для силовой электроники |
| 2015 | Сьюзан Лорд | За профессиональное лидерство и вклад в инженерное образование |
| 2015 | Роджер Малик | За вклад в разработку гетеропереходных полупроводниковых материалов и устройств |
| 2015 | Сократ Пантелидес | За вклад в изучение динамики точечных дефектов в полупроводниковых приборах |
| 2015 | Лука Селми | За исследования в области транспорта носителей заряда и надежности полупроводниковых приборов |
| 2015 | Марк Вайхольд | За вклад в международное развитие инженерного образования |
| 2015 | Гаожи Сяо | За вклад в разработку измерительных и контрольно-измерительных приборов для обеспечения безопасности |
| 2016 | Брюс Карлстен | За вклад в создание электронных пучков высокой яркости и вакуумных электронных приборов |
| 2016 | Чонг-пинг Чанг | За вклад в замену затвора и неглубокую изоляцию траншей для технологии КМОП |
| 2016 | Мукта Фарук | За вклад в 3D-интеграцию и технологию межсоединений |
| 2016 | Патрик Фэй | За вклад в технологии туннелирования полупроводниковых соединений и высокоскоростных устройств |
| 2016 | Цин-ань Хуан | За вклад в моделирование и компоновку микродатчиков и микроактюаторов |
| 2016 | Адриан Ионеску | За вклад в разработку новых устройств для маломощных приложений |
| 2016 | Элвин Джозеф | За вклад в кремний-германиевую биполярную КМОП-технологию и технологию ВЧ-кристаллов на основе кремния-на-изоляторе |
| 2016 | Джонг-хо Ли | За вклад в разработку и характеристику объемных многозатворных полевых транзисторов |
| 2016 | Эллис Мэн | За вклад в биомедицинские микроэлектромеханические системы |
| 2016 | Леонард Регистр | За вклад в моделирование переноса заряда в наномасштабных КМОП-устройствах |
| 2016 | Томас Сильва | За вклад в понимание и применение динамики намагничивания |
| 2016 | Тору Танзава | За вклад в разработку интегральных схем высокого напряжения |
| 2016 | Акира Ториуми | За вклад в физику устройств и материаловедение для передовой технологии КМОП |
| 2017 | Хуля Киркичи | За вклад в высокочастотный, высокополевой диэлектрический пробой и электроизоляцию для космических и аэрокосмических энергетических систем |
| 2017 | Эдоардо Шарбон | За вклад в разработку твердотельных однофотонных лавинных детекторов и их применение в визуализации |
| 2017 | Вэй-тин Цзянь | За лидерство в управлении надежностью |
| 2017 | Кристофер Хайрольд | За вклад в микроэлектромеханические датчики и микротермоэлектрический сбор энергии |
| 2017 | Ру Хуан | За вклад в технологию многозатворных кремниевых нанопроводных транзисторов |
| 2017 | Цюаньси Цзя | За вклад в создание покрытых сверхпроводников и тонких пленок оксидов металлов для электронных приложений |
| 2017 | Хунжуй Цзян | За вклад в разработку материалов и микрооптических инструментов для медицинской визуализации |
| 2017 | Ричард Кинг | За вклад в высокопроизводительные космические и наземные фотоэлектрические технологии |
| 2017 | Стивен Кестер | За вклад в электронные и фотонные приборы группы IV |
| 2017 | Дональд Ли | За вклад в разработку высоколинейных и высокоэффективных кремниевых усилителей мощности ВЧ для широкополосных беспроводных приложений |
| 2017 | Тереза Майер | За вклад в интеграцию наноматериалов и направленную сборку |
| 2017 | Дзюнъити Накамура | За лидерство в производстве датчиков изображения КМОП |
| 2017 | Боривое Николич | За вклад в энергоэффективное проектирование цифровых и смешанных схем |
| 2017 | Томас Паласиос | За вклад в электронные устройства на основе нитрида галлия и двумерные материалы |
| 2017 | Андрей Владимиреску | За вклад в разработку и коммерческое внедрение моделирования схем SPICE |
| 2017 | Сорин Войнигеску | За вклад в разработку кремниевых и кремний-германиевых приборов и интегральных схем микроволнового и миллиметрового диапазонов |
| 2017 | Синь Чжан | За вклад в микроэлектромеханические системы |
| 2018 | Памела Энн Эбшир | За вклад в разработку биосенсоров КМОП |
| 2018 | Тимоти Бойкин | За вклад в атомистические модели для моделирования полупроводниковых приборов |
| 2018 | Куан-нэн Чен | За вклад в технологии 3D-интегральных схем и корпусирования |
| 2018 | Мишель Хусса | За вклад в определение характеристик материалов для усовершенствованных МОП-транзисторов |
| 2018 | Ярослав Гинечек | За вклад в разработку твердотельных датчиков изображения |
| 2018 | Майкл Креймс | За лидерство в области физики светоизлучающих устройств на основе GaN и их коммерциализации |
| 2018 | Исаак Ланьядо | За лидерство в разработке технологии «кремний на сапфире» |
| 2018 | Чи Ви Лю | За вклад в разработку высокомобильных Ge и SiGe MOSFET |
| 2018 | Вэй Лу | За вклад в разработку нейроморфных систем |
| 2018 | Чжэньцян Ма | За вклад в гибкую и биоразлагаемую микроволновую электронику |
| 2018 | Саибал Мукхопадхай | За вклад в разработку энергоэффективных и надежных вычислительных систем |
| 2018 | Хидетоши Онодера | За вклад в проектирование и анализ интегральных схем с учетом вариаций |
| 2018 | Филипп Пайе | За вклад в понимание эффектов излучения в электронике |
| 2018 | Джозеф Павловски | За вклад в интерфейсы систем памяти |
| 2018 | Сейджи Самукава | За вклад в безвредную плазменную обработку для производства наноустройств |
| 2018 | Грегори Снайдер | За вклад в технологию вычислений на основе одного электрона |
| 2018 | Сюдзи Танака | За вклад в микроэлектромеханические системы для акустических волновых устройств, физических датчиков и генерации электроэнергии |
| 2018 | Виктор Велиадис | За вклад в разработку силовых приборов на основе SiC |
| 2018 | Роберт Вайкле | За вклад в электронику миллиметрового и субмиллиметрового диапазона волн и приборостроение для терагерцовых частот |
| 2018 | Хуэйкай Се | За вклад в микроэлектромеханические оптические сканирующие системы |
| 2018 | Цзяньбинь Сюй | За вклад в разработку наноэлектронных материалов и устройств |
| 2018 | Энтони Йен | За лидерство в области литографии в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне для крупносерийного производства интегральных схем |
| 2019 | Маттиас Бауэр | За вклад в технологии выращивания сплавов для транзисторов |
| 2019 | Мэн-фан Чан | За вклад в статическую и энергонезависимую память для встраиваемых систем |
| 2019 | Кин Пинг Чунг | За вклад в изучение повреждений, вызванных плазменными процессами в интегральных схемах |
| 2019 | Хироши Ито | За вклад в создание высокоскоростных фотодиодов для генерации волн миллиметрового и терагерцового диапазона |
| 2019 | Кристоф Юнгеманн | За вклад в иерархическое моделирование полупроводниковых приборов |
| 2019 | Али Хакифируз | За вклад в технологию полностью обедненного кремния на изоляторе с комплементарными металлами-оксидами-полупроводниками |
| 2019 | Чи-хуан Лай | За вклад в развитие магнитного хранения информации и спинтронных устройств |
| 2019 | Роджер Лейк | За вклад в моделирование квантово-механических электронных устройств |
| 2019 | Мирослав Мичович | За вклад в электронику на основе нитрида галлия |
| 2019 | Теодор Моисей | За вклад в разработку и проектирование сегнетоэлектрической памяти |
| 2019 | Кацу Накамура | За вклад в разработку интегральных схем для цифровой обработки изображений |
| 2019 | Стюарт Раух | За вклад в надежность микроэлектроники |
| 2019 | Самар Саха | За вклад в компактное моделирование кремниевых полевых транзисторов |
| 2019 | Саиф Салахуддин | За вклад в маломощные электронные и спинтронные устройства |
| 2019 | Венкат Селваманикам | За вклад в разработку и производство сверхпроводящих лент |
| 2019 | Мунехиро Тада | За вклад в развитие медных соединений для сверхкрупномасштабной интеграции |
| 2019 | Харкхоэ Тан | За вклад в разработку полупроводниковых оптоэлектронных материалов и устройств |
| 2019 | Дипак Уттамчандани | За вклад в развитие фотонных датчиков |
| 2020 | Джеффри У. Берр | За вклад в нейроморфные вычисления с использованием энергонезависимой памяти |
| 2020 | Тинг-чан Чанг | За вклад в технологии энергонезависимой памяти и тонкопленочных транзисторов |
| 2020 | Профессор Чидамбарам | За вклад в разработку методов деформации МОП-транзисторов и совместную оптимизацию технологий проектирования |
| 2020 | Чион Чуй | За вклад в разработку высокомобильных германиевых металлооксидных полупроводниковых приборов |
Смотрите также
Ссылки
- ^ «Справочник стипендиатов IEEE».
- ^ "IEEE Tokyo Section Fellows". www.ieee-jp.org . Получено 22.03.2022 .
