Мукта Фарук

Мукта Гхейт Фарук
Мукта Гхейт Фарук
Альма-матер	ИИТ Бомбея; Северо-Западный университет; Политехнический институт Ренсселера;

Мукта Гхейт Фарук — индийский инженер-металлург маратхского происхождения , работающая в корпорации IBM в Хоупвелл-Джанкшен, штат Нью-Йорк. В 2016 году она была названа членом Института инженеров по электротехнике и электронике (IEEE) ^[1] за вклад в 3D- интеграцию и технологию межсоединений. В настоящее время она является выдающимся научным сотрудником в IBM Research и имеет более 220 выданных патентов США, включая патенты с номерами 10199315, 20180061749 и 8367543. ^[2]^[3] В 2017 году IIT Bombay наградил ее наградой выдающейся выпускницы ^[4]

Образование

Мукта получила степень бакалавра технических наук по металлургическому машиностроению в Индийском технологическом институте Бомбея в 1983 году. Фарук получила степень магистра по материаловедению в Северо-Западном университете в 1985 году и степень доктора философии по материаловедению в Политехническом институте Ренсселера в 1988 году. ^[5]

Различия

Доктор Мукта Гхейт Фарук была отмечена за многочисленные достижения на протяжении всей ее образовательной карьеры, включая Золотую медаль за достижения в бакалавриате от Индийского института литейного производства (1982), стипендию Дораба Тата (1983), стипендию фонда JN Tata (1983) и премию IBM Fellowship Award за докторские исследования (1986 - 1988). В 1988 году она была номинирована на премию Alpha Sigma Mu, профессиональное почетное общество, связанное с ASM International . ^[6]

В своей профессиональной карьере Фарук получила награду за лучшую статью на международной конференции IMAPS (2006), премию Technology All Star Award от National Women of Color in STEM (2008) ^[7] и была назначена выдающимся лектором IEEE EDS в 2012 году. В 2014 году она стала пожизненным мастером-изобретателем IBM и была назначена в Академию технологий IBM. Она также получила награду за выдающиеся технические достижения в области интеграции 3D-технологий в 2015 году. ^[6]

В 2016 году доктор Фарук была названа членом Института инженеров по электротехнике и электронике (IEEE). ^[1] Вскоре после этого, в 2017 году, она была награждена премией «Выдающийся выпускник/выпускница Бомбея» от своего бакалавриата, Индийского технологического института Бомбея. ^[4] В 2016 году она была названа членом GLOBALFOUNDRIES. ^[8]

Работы

По состоянию на 2022 год Фарук была автором 227 выданных патентов США, ^[2] что позволило ей попасть в список плодовитых изобретателей . Она также является автором ряда лекций, конференционных докладов и журнальных статей по таким темам, как гетерогенная интеграция для искусственного интеллекта, ^[9] 3D- интеграция TSV ^[10]^{[11] и сборки}керамических шариковых сеток без свинца (CBGA). ^[12]^[13]

Ссылки

^ ab "2016 elevated fellow" (PDF) . Справочник стипендиатов IEEE . Архивировано из оригинала (PDF) 23 декабря 2015 г.
^ ab Патенты США Мукты Фарука
^ "Изобретения, патенты и патентные заявки Mukta Ghate Farooq - Поиск патентов Justia". patents.justia.com . Получено 30 марта 2019 г. .
^ ab "58-й день основания ИИТ Бомбея: 11 награждены наградами выдающимся выпускникам, 2 — наградами молодым выпускникам, добившимся успеха". 11 марта 2017 г.
^ «Доктор Мукта Гейт Фарук | Выпускники и корпоративные отношения» . www.iitb.ac.in. Проверено 30 марта 2019 г.
^ ab «Доктор Мукта Гейт Фарук | Выпускники и корпоративные отношения» . www.alumni.iitb.ac.in . Проверено 20 января 2021 г.
^ "Plenary & Invited Speakers | PROGRAM". IEEE . Получено 20 января 2021 г. .
^ «Что нужно, чтобы стать лидером в области патентования | GLOBALFOUNDRIES». www.globalfoundries.com . 3 мая 2017 г. . Получено 20 января 2021 г. .
^ Фарук, Мукта (2020). «Включение ИИ с гетерогенной интеграцией». Обзор Chip Scale . Получено 19 января 2021 г.
^ Фарук, MG; Грейвс-Абе, TL; Ландерс, WF; Котандараман, C.; Химмель, BA; Андри, PS; Цанг, CK; Спрогис, E.; Волант, RP (декабрь 2011 г.). «Интеграция, тестирование и надежность 3D-медных TSV». Международная встреча по электронным приборам 2011 г. стр. 7.1.1–7.1.4. doi :10.1109/IEDM.2011.6131504. ISBN 978-1-4577-0505-2. S2CID 42496282.
^ Фарук, Мукта Г.; Айер, Субраманиан С. (5 мая 2011 г.). "Обзор 3D-интеграции". Science China Information Sciences . 54 (5): 1012. doi :10.1007/s11432-011-4226-7. ISSN 1869-1919.
^ Фарук, М.; Голдманн, Л.; Мартин, Г.; Голдсмит, К.; Бержерон, К. (2003). «Термомеханическая усталостная надежность решеток шариковых керамических элементов без свинца: экспериментальные данные и моделирование прогнозирования срока службы». 53-я конференция по электронным компонентам и технологиям, 2003. Труды . Новый Орлеан, Луизиана, США: IEEE. стр. 827– 833. doi :10.1109/ECTC.2003.1216385. ISBN 978-0-7803-7791-2. S2CID 110096776.
^ Interrante, M.; Coffin, J.; Cole, M.; De Sousa, I.; Farooq, M.; Goldmann, L.; Goldsmith, C.; Jozwiak, J.; Lopez, T.; Martin, G.; Van Thanh Troung (2003). "Безсвинцовые соединения в корпусах для керамических решетчатых массивов". IEEE/CPMT/SEMI 28-й Международный симпозиум по технологиям производства электроники, 2003. IEMT 2003. Сан-Хосе, Калифорния, США: IEEE. стр. 85–92 . doi :10.1109/IEMT.2003.1225883. ISBN 978-0-7803-7933-6. S2CID 108495051.

[:0-1] "2016 elevated fellow" (PDF) . Справочник стипендиатов IEEE . Архивировано из оригинала (PDF) 23 декабря 2015 г.

[:1-2] Патенты США Мукты Фарука

[3] "Изобретения, патенты и патентные заявки Mukta Ghate Farooq - Поиск патентов Justia". patents.justia.com . Получено 30 марта 2019 г. .

[:2-4] "58-й день основания ИИТ Бомбея: 11 награждены наградами выдающимся выпускникам, 2 — наградами молодым выпускникам, добившимся успеха". 11 марта 2017 г.

[5] «Доктор Мукта Гейт Фарук | Выпускники и корпоративные отношения» . www.iitb.ac.in. Проверено 30 марта 2019 г.

[:3-6] «Доктор Мукта Гейт Фарук | Выпускники и корпоративные отношения» . www.alumni.iitb.ac.in . Проверено 20 января 2021 г.

[7] "Plenary & Invited Speakers | PROGRAM". IEEE . Получено 20 января 2021 г. .

[8] «Что нужно, чтобы стать лидером в области патентования | GLOBALFOUNDRIES». www.globalfoundries.com . 3 мая 2017 г. . Получено 20 января 2021 г. .

[9] Фарук, Мукта (2020). «Включение ИИ с гетерогенной интеграцией». Обзор Chip Scale . Получено 19 января 2021 г.

[:4-10] Фарук, MG; Грейвс-Абе, TL; Ландерс, WF; Котандараман, C.; Химмель, BA; Андри, PS; Цанг, CK; Спрогис, E.; Волант, RP (декабрь 2011 г.). «Интеграция, тестирование и надежность 3D-медных TSV». Международная встреча по электронным приборам 2011 г. стр. 7.1.1–7.1.4. doi :10.1109/IEDM.2011.6131504. ISBN 978-1-4577-0505-2. S2CID 42496282.

[:5-11] Фарук, Мукта Г.; Айер, Субраманиан С. (5 мая 2011 г.). "Обзор 3D-интеграции". Science China Information Sciences . 54 (5): 1012. doi :10.1007/s11432-011-4226-7. ISSN 1869-1919.

[12] Фарук, М.; Голдманн, Л.; Мартин, Г.; Голдсмит, К.; Бержерон, К. (2003). «Термомеханическая усталостная надежность решеток шариковых керамических элементов без свинца: экспериментальные данные и моделирование прогнозирования срока службы». 53-я конференция по электронным компонентам и технологиям, 2003. Труды . Новый Орлеан, Луизиана, США: IEEE. стр. 827– 833. doi :10.1109/ECTC.2003.1216385. ISBN 978-0-7803-7791-2. S2CID 110096776.

[13] Interrante, M.; Coffin, J.; Cole, M.; De Sousa, I.; Farooq, M.; Goldmann, L.; Goldsmith, C.; Jozwiak, J.; Lopez, T.; Martin, G.; Van Thanh Troung (2003). "Безсвинцовые соединения в корпусах для керамических решетчатых массивов". IEEE/CPMT/SEMI 28-й Международный симпозиум по технологиям производства электроники, 2003. IEMT 2003. Сан-Хосе, Калифорния, США: IEEE. стр. 85–92 . doi :10.1109/IEMT.2003.1225883. ISBN 978-0-7803-7933-6. S2CID 108495051.