Игорь Грехов

Игорь Грехов
Действительный член Российской академии наук (2017)
Рожденный	( 1934-09-10 )10 сентября 1934 г. (90 лет) Смоленск , СССР
Гражданство	Россия
Образование	МГТУ им. Баумана
Известный	вклад в физику и технику силовых полупроводниковых приборов
Награды	Ленинская премия (1966) Государственная премия СССР (1987) Государственная премия России (2002)
Научная карьера
Поля	Силовая электроника
Учреждения	Иоффе
научный руководитель	Владимир Тучкевич  [ru]

Внешнее изображение
Игорь Грехов (фото)

Игорь Всеволодович Грехов ( русский : Игорь Всеволодович Грехов , родился 10 сентября 1934 года в Смоленске ) — советский и российский физик и электротехник, действительный член Российской академии наук . ^[1] Он известен как один из основоположников промышленности силовых полупроводниковых приборов в Советском Союзе. Его вклад в область импульсных силовых приборов и преобразовательной техники был отмечен присуждением Ленинской премии , двух Государственных премий и нескольких Государственных орденов России. Он заведовал лабораторией в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе в Санкт-Петербурге в течение нескольких десятилетий.

Грехов родился в семье школьных учителей в Смоленске, но его детство прошло в городе Симферополе , Крым. ^[2]

После окончания средней школы Грехов изучал электротехнику в Московском государственном техническом университете имени Баумана . Затем несколько лет (1958—1962) проработал в промышленности, работая инженером-исследователем и заведующим лабораторией на заводе «Электровыпрямитель» в Саранске ( Мордовия , СССР).

В 1962 году Грехов поступил на работу в ФТИ им. А.Ф. Иоффе в Ленинграде и с тех пор более полувека был сотрудником института, последовательно занимая должности младшего, ординарного и старшего научного сотрудника, руководителя группы и заведующего научным сектором. В 1967 и 1974 годах он получил соответственно учёные степени кандидата и доктора наук по физике полупроводников. ^[3] В 1982—2019 годах Грехов заведовал лабораторией силовой электроники. В период с 2004 по 2014 год он также занимал должность заведующего кафедрой твёрдотельной электроники института. Параллельно с научной деятельностью он читал курс «Полупроводниковые приборы» в качестве профессора Санкт-Петербургского политехнического университета (1984—1994).

В 1991 году Грехов был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР , а в 2008 году — действительным членом Российской академии наук.

Научно-исследовательская работа Грехова всегда была сосредоточена на физике твердотельных приборов , с особым акцентом, связанным с их применением в силовой электронике . Его интересы охватывают все этапы от теоретических исследований до изготовления опытных образцов и координации массового производства силовых приборов, включая преобразователи . Его пионерский вклад в 1960-х и 1970-х годах обеспечил технологический прорыв для полупроводниковой промышленности и дал начало ее новой отрасли — силовой полупроводниковой приборостроению — в Советском Союзе.

Наиболее важные результаты: ^[4]

• Наблюдение эффекта равномерного переключения кремниевой тиристорной структуры при возбуждении импульсами YAG:Nd лазера , создание на основе этого эффекта быстродействующих мощных ключей (10 кВ, 30 кА, время нарастания импульса 20 нс);
• Открытие фронтов ударной ионизации в высоковольтных pn-переходах, запускаемых крутым импульсом напряжения; это явление используется в сверхбыстрых переключателях, таких как лавинные диодные усилители или быстроионизационные динисторы , с временем нарастания импульса менее 100 пс;
• Изобретения (1982—1983) нового типа размыкающего ключа, названного дрейфовым шаговым восстановительным диодом (ДДРВ), способного работать в диапазоне импульсной мощности от единиц до сотен мегаватт, и обратновключаемого динистора (ОВД), позволяющего коммутировать токи мегаамперного диапазона в течение десятков микросекунд. Самый мощный полупроводниковый ключ с использованием ОВД в настоящее время эксплуатируется в Российском федеральном ядерном центре ;
• Предсказание нового физического эффекта туннельного формирования фронта ионизации в кремниевых приборах. Показано, что этот фронт отвечает за чрезвычайно быстрое (~20 пс) переключение прибора;
• Техническая идея нового прибора, конкурентоспособного с IGBT , – интегрального тиристора с внешним полевым управлением. Этот прибор обладает близкими к IGBT характеристиками, но не требует столь сложных технологических возможностей для изготовления;
• Создание приборов на основе карбида кремния (SiC) для силовой электроники, в частности размыкателей на основе SiC.

Исследования в лаборатории Грехова охватывают и некоторые другие проблемы физики полупроводниковых приборов: туннельные явления в МДП -структурах, сегнетоэлектрическую память, пористый кремний и сверхпроводящую керамику.

• И.В. Грехов, Генерация импульсной мощности в нано- и субнаносекундном диапазоне с помощью ионизирующих фронтов в полупроводниках: современное состояние и перспективы, IEEE Transactions on Plasma Science , 38:5 (2010), 1118–1123.
• И.В. Грехов, Силовая полупроводниковая электроника и импульсная техника, Вестник Российской академии наук , 78:1 (2008), 22–30.
• И.В. Грехов, Г.А. Месяц, Наносекундные полупроводниковые диоды для импульсной коммутации мощности, Успехи физических наук , 48:7 (2005), 703–712.
• П. Родин, У. Эберт, В. Хундсдорфер, И. Грехов, Фронты ударной ионизации с участием туннелирования в полупроводниках, Журнал прикладной физики , 92:2 (2002), 958–964.
• И.В. Грехов, Новые принципы коммутации больших мощностей с помощью полупроводниковых приборов, Твердотельная электроника , 32:11 (1989), 923–930.

Всего Грехов является соавтором четырех книг, около 200 патентов и более 600 научных статей.