Ю-Хва Ло

Ю-Хва Ло — физик , инженер , академик и исследователь. Профессор электротехники и вычислительной техники в Калифорнийском университете в Сан-Диего (UCSD). ^[1]

Ло опубликовал более 500 статей и владеет 55 патентами. Его исследовательские интересы включают биофотонику, нанофотонику, детекторы одиночных фотонов, физику конденсированного состояния для передовых концепций устройств, микрофлюидику и биомедицинские устройства и инструменты. ^[2]

Ло является директором-основателем и членом исполнительного комитета San Diego Nanotechnology Infrastructure (SDNI) ^[3] , а также директором участка NSF National Nanotechnology Coordinated Infrastructure. ^[4]

Ло получил степень бакалавра в области электротехники в Национальном университете Тайваня в 1981 году. В Калифорнийском университете в Беркли он получил степень магистра и доктора философии в области электротехники в 1986 и 1987 годах соответственно. ^[5]

Проработав в Bellcore с 1987 по 1990 год в качестве технического сотрудника, Ло стал доцентом в Корнеллском университете в 1991 году на факультете электротехники, где позже, в 1996 году, он был назначен доцентом. В Калифорнийском университете в Сан-Диего (UCSD) с 1999 года он является профессором кафедры электротехники и вычислительной техники, ^[6] где он был удостоен награды Distinguished William SC Chang Endowed Chair in Electrical and Computer Engineering. ^[7] С 2012 года он является приглашенным профессором на факультете биоинженерии Национального университета Чиа-Тун, Тайвань.

Среди его неакадемических должностей Ло занимал должность технического директора и члена совета директоров компании Nova Crystals, директора San Diego Nanotechnology Infrastructure (SDNI), которая является Центром национальной координированной инфраструктуры нанотехнологий (NNCI) ^[8] , а также был соучредителем и советником NanoCellect Biomedical, биотехнологической компании. ^[9]

Исследования Ло сосредоточены на двух областях: первая из них касается фотоники конденсированных сред и оптоэлектронных материалов и устройств с упором на устройства и новые физические механизмы для сверхчувствительного обнаружения света с применением в визуализации, лидарах , а также в медицинской и биовизуализации . ^[10] Вторая область фокуса — микрофлюидика, устройства «лаборатория на чипе», а также биомедицинские и биофотонные устройства для анализа отдельных клеток, диагностики и разработки лекарственных препаратов.

Ло изобрел процесс прямого слияния пластин (т. е. соединения двух полупроводников без промежуточного слоя) совместно с Раджем Бхатом. Процесс был лицензирован для промышленности для производства сверхярких светодиодов (LED), которые положили начало переходу светофоров (красного и янтарного цветов) и автомобильного освещения от ламп накаливания к твердотельному освещению. ^[11] Он сформулировал и продемонстрировал концепцию податливой подложки, позволяющей выращивать эпитаксиальные слои за пределами критического предела толщины Мэтью и Блейксли. ^[12]

Вместе со своей группой Ло изобрел и теоретически обосновал механизмы самогашения и самовосстановления для полупроводниковых детекторов, способных обнаруживать отдельные фотоны. Он открыл эффект циклического процесса возбуждения (CEP) в неупорядоченных материалах и изобрел фотодетекторы с собственным усилением умножения носителей на основе этого механизма. Устройства используются для LiDAR и визуализации при слабом освещении. ^[13]

Группа Ло изобрела первый настольный микрофлюидный сортировщик клеток с активацией флуоресценции (FACS), который является самой компактной системой в своем роде. ^[14]

Лаборатория Ло продолжила разработку, интегрировав возможности визуализации в систему и продемонстрировав одну из первых в мире систем FACS с визуальным контролем. Еще одним крупным достижением его лаборатории стало создание первых в мире 3D-проточных цитометров, способных производить 1000 высококачественных 3D-изображений клеток в секунду, и внедрение искусственного интеллекта в вышеуказанную систему для анализа клеток, классификации и обнаружения типов клеток. ^[15]

• Lo, YH (1991). Новый подход к выращиванию псевдоморфных структур сверх критической толщины. Applied Physics Letters, 59(18), 2311–2313.
• Бхат, Р. и Ло, Й. Х. (1993). Патент США № 5,207,864. Вашингтон, округ Колумбия: Бюро по патентам и товарным знакам США.
• Бердичевский, Ю., Хандурина, Дж., Гуттман, А. и Ло, Й. Х. (2004). Модификация микрофлюидных каналов поли (диметилсилоксана) УФ/озоном. Датчики и приводы B: Химия, 97(2-3), 402–408.
• Soci, C., Zhang, A., Xiang, B., Dayeh, SA, Aplin, DPR, Park, J., ... и Wang, D. (2007). УФ-фотодетекторы на основе нанопроволок ZnO с высоким внутренним усилением. Nano letters, 7(4), 1003–1009.
• Park, JH, Ndao, A., Cai, W., Hsu, L., Kodigala, A., Lepetit, T., ... и Kanté, B. (2020). Плазмонические исключительные точки, вызванные нарушением симметрии, и наномасштабное зондирование. Nature Physics, 16(4), 462–468.