Оксикарбидное стекло , также называемое кремниевым оксикарбидом, представляет собой тип стекла , который содержит кислород и углерод в дополнение к диоксиду кремния . [1] Оно создается путем замены некоторых атомов кислорода атомами углерода. Это стекло может содержать частицы аморфного углерода и карбида кремния . [2] Материалы SiOC различной стехиометрии привлекательны благодаря своей, как правило, высокой плотности, твердости и высоким температурам эксплуатации. С помощью различных методов формования можно получить высокопроизводительные детали сложной формы. В отличие от чистого SiC, универсальная стехиометрия SiOC предлагает дополнительные возможности для настройки физических свойств посредством соответствующего выбора параметров обработки. [3]
Аморфный оксикарбид кремния может образовываться как продукт пиролиза прекерамических полимеров, включая поликарбосилан . Такие материалы представляют все больший интерес для аддитивного производства керамических деталей с использованием процессов типа стереолитографии . При формировании из полимерного предшественника оксикарбид кремния является важным членом класса материалов, известных как керамика, полученная из полимеров [4]
Микроструктура SiOC может быть изменена путем добавления других фаз; В то же время микро-, мезо- и макропористость может быть введена изготовленными композитами. Массив пористости проектируется для определенных целей, например, использования в качестве мембраны. [5] [6]
Оксикарбид кремния отличается высокой емкостью хранения Li-ion от 600 до 700 мАч г −1 [ 7], низким расширением объема при литировании около 7% [8] [9] [10] и высокой электронной проводимостью.
Чтобы максимизировать анодную емкость хранения заряда литий-ионных аккумуляторов, материалы анода легирующего типа, такие как Sn и Sb, привлекли значительный интерес из-за их высокой теоретической емкости 992 и 660 мАч г −1 и подходящего окна напряжения литирования/делитирования 0,01–1,5 В по сравнению с Li + /Li. Недавние достижения в наноструктурировании анодов легирующего типа обеспечивают эффективный способ смягчения проблем их объемного расширения при литировании, которые серьезно затрудняют стабильность циклирования. [11] Кроме того, одним из преобладающих подходов к стабилизации таких электродов является внедрение Sn или Sb в форме наночастиц в матрицу. Матрица помогает буферизировать изменения объема, придавать лучшую электронную связность и предотвращать агрегацию частиц при литировании/делитировании. В этом контексте оксикарбид кремния является привлекательным кандидатом для стабилизации включений Sn и Sb.
Сообщалось о легком синтезе наночастиц Sn, внедренных в матрицу SiOC, посредством пиролиза прекерамического полимера в качестве исходного прекурсора. Этот полимер содержит Sn 2-этил-гексаноат (Sn(Oct) 2 ) и поли(метилгидросилоксан) в качестве источников Sn и Si соответственно. После функционализации неполярными боковыми цепями дивинилбензола полимер становится совместимым с Sn(Oct) 2 . Этот подход дает однородную дисперсию наночастиц Sn в матрице SiOC с размерами порядка 5–30 нм. Аноды из нанокомпозита SiOC/Sn демонстрируют высокую емкость 644 и 553 мАч г −1 при плотности тока 74,4 и 2232 мА г −1 (скорости C/5 и 6C для графита) соответственно и демонстрируют превосходную скоростную способность с падением емкости всего на 14% при высоких токах. [12]
Аналогичный подход был описан для стабилизации наночастиц Sb; однородно внедренные наночастицы Sb в матрицу SiOC размером 5–40 нм были получены посредством пиролиза прекерамического полимера. Последний получен посредством катализируемой Pt реакции гелеобразования 2-этилгексаноата Sb и смеси поли(метилгидросилоксана)/дивинилбензола. Полная смешиваемость этих прекурсоров была достигнута путем функционализации поли(метилгидросилоксана) боковыми цепями неполярного дивинилбензола. Было показано, что аноды, состоящие из SiOC/Sb, демонстрируют высокую скорость, обеспечивая емкость хранения заряда в диапазоне 703–549 мА ч г −1 при плотности тока 74,4–2232 мА г −1 . [13]