BCDMOS

Эта статья является сиротой , поскольку на нее не ссылаются другие статьи . Пожалуйста, введите ссылки на эту страницу из связанных статей ; попробуйте найти инструмент ссылок для предложений. ( Май 2023 г. )

BCDMOS — это сложная схема , состоящая из биполярных , КМОП и ДМОП устройств. ^[1]

Технология BCDMOS позволяет управлять дискретными компонентами высокого напряжения (несколько сотен рабочих напряжений) на высокой частоте, сохраняя при этом высокую интеграцию с технологическими узлами до 40 нм или 22 нм. Во многих приложениях в 2023 году по-прежнему будет использоваться технологический узел 0,35 мкм. ^[2]

Применение этого типа схем можно найти в автомобильной промышленности , аудиоусилителях, радиочастотах , кремниевых фотоумножителях ( SiPM ). ^[3]

SGS (теперь STmicroelectronics ) изобрела технологию BCD (биполярная-CMOS-DMOS) - революционную на то время - в 1985 году ^[1] и с тех пор постоянно ее развивала. BCD - это семейство кремниевых процессов, каждый из которых объединяет сильные стороны трех различных технологических процессов на одном кристалле. ^[4]

По данным сайта Maxim, ^{[ требуется ссылка ]} это инновационный процесс, который обеспечивает следующие характеристики:

1. высокое напряжение пробоя, но небольшие транзисторы ,
2. довольно низкое сопротивление в открытом состоянии, что важно для интеграции нескольких мощных полевых транзисторов с низким удельным сопротивлением,
3. двойной металлический слой для поддержки высокого тока
4. Комбинирование тонкой пленки и полиполи колпачков (в кремнии). Высокоточные эталоны могут быть интегрированы. ^{[ необходима цитата ]}

Согласно новостям Dongbu HiTek, ^{[ нужна цитата ]} компания заявляет о запуске первого в отрасли 0,18-микрометрового процесса BCDMOS. Новый процесс объединяет логические , аналоговые и высоковольтные функции для уменьшения размера.

• https://kabarluwuraya.com