1 мкм процесс

Процесс производства полупроводников

Процесс 1 мкм (процесс 1 микрометра ) — это уровень технологии полупроводникового процесса MOSFET , который был коммерциализирован примерно в 1984–1986 годах ^[1]^[2] такими компаниями, как NTT , NEC , Intel и IBM . Это был первый процесс, где КМОП был распространен (в отличие от NMOS ).

Процесс 1 мкм относится к минимальному размеру, который можно было надежно производить. Самые маленькие транзисторы и другие элементы схемы на чипе, изготовленные с помощью этого процесса, имели ширину около 1 микрометра.

Самый первый МОП-транзистор с длиной канала NMOS 1 мкм был изготовлен исследовательской группой под руководством Роберта Х. Деннарда , Хва-Ньена Ю и Ф. Х. Генсслена в исследовательском центре IBM TJ Watson в 1974 году. ^[3]

Изделия с технологией производства 1,0 мкм

NTT представила 1 мкм процесс для своих чипов памяти DRAM , включая 64k в 1979 году и 256k в 1980 году. ^[4]
Чип памяти DRAM емкостью 1 Мбит от NEC был изготовлен с использованием 1 мкм процесса в 1984 году. ^[5]
Процессор Intel 80386, выпущенный в 1985 году, был изготовлен с использованием этого процесса. ^[1]
Intel использует этот процесс в технологии CHMOS III-E . ^[6]
Intel использует этот процесс в технологии CHMOS IV. ^[7]

Ссылки

^ ab Mueller, S (21 июля 2006 г.). «Микропроцессоры с 1971 года по настоящее время». informIT. Архивировано из оригинала 19 апреля 2015 г. Получено 11 мая 2012 г.
↑ Myslewski, R (15 ноября 2011 г.). «С 40-летием, Intel 4004!». TheRegister. Архивировано из оригинала 19 апреля 2015 г. Получено 19 апреля 2015 г.
^ Деннард, Роберт Х .; Ю, Хва-Ниен; Генслен, Ф.Х.; Райдаут, ВЛ; Басус, Э.; Леблан, Арканзас (октябрь 1974 г.). «Проектирование ионно-имплантированных МОП-транзисторов с очень малыми физическими размерами» (PDF) . Журнал IEEE твердотельных схем . 9 (5): 256–268. Бибкод : 1974IJSSC...9..256D. дои : 10.1109/JSSC.1974.1050511. S2CID 283984.
^ Gealow, Jeffrey Carl (10 августа 1990 г.). «Влияние технологии обработки на конструкцию усилителя считывания DRAM» (PDF) . Массачусетский технологический институт . стр. 149–166 . Получено 25 июня 2019 г. – через CORE .
^ "Память". STOL (Semiconductor Technology Online) . Получено 25 июня 2019 г.
^ Корпорация Intel, «Новый продукт: компоненты: двух- и четырехмегабитные EPROM-памяти — высокоплотные исполнители», Microcomputer Solutions, сентябрь/октябрь 1989 г., стр. 14
^ Корпорация Intel, «Новый продукт: Компоненты: новый ASSP подходит для мобильных приложений», Microcomputer Solutions, сентябрь/октябрь 1990 г., стр. 11

Внешние ссылки

Краткая хронология развития микропроцессоров

Предшественник процесса 1,5 мкм	Процесс изготовления полупроводниковых приборов MOSFET	На смену пришел 800 нм процесс

Эта статья о нанотехнологиях — заглушка . Вы можете помочь Википедии, расширив ее.

[informIT-1] Mueller, S (21 июля 2006 г.). «Микропроцессоры с 1971 года по настоящее время». informIT. Архивировано из оригинала 19 апреля 2015 г. Получено 11 мая 2012 г.

[2] Myslewski, R (15 ноября 2011 г.). «С 40-летием, Intel 4004!». TheRegister. Архивировано из оригинала 19 апреля 2015 г. Получено 19 апреля 2015 г.

[3] Деннард, Роберт Х .; Ю, Хва-Ниен; Генслен, Ф.Х.; Райдаут, ВЛ; Басус, Э.; Леблан, Арканзас (октябрь 1974 г.). «Проектирование ионно-имплантированных МОП-транзисторов с очень малыми физическими размерами» (PDF) . Журнал IEEE твердотельных схем . 9 (5): 256–268. Бибкод : 1974IJSSC...9..256D. дои : 10.1109/JSSC.1974.1050511. S2CID 283984.

[Gealow-4] Gealow, Jeffrey Carl (10 августа 1990 г.). «Влияние технологии обработки на конструкцию усилителя считывания DRAM» (PDF) . Массачусетский технологический институт . стр. 149–166 . Получено 25 июня 2019 г. – через CORE .

[stol-5] "Память". STOL (Semiconductor Technology Online) . Получено 25 июня 2019 г.

[6] Корпорация Intel, «Новый продукт: компоненты: двух- и четырехмегабитные EPROM-памяти — высокоплотные исполнители», Microcomputer Solutions, сентябрь/октябрь 1989 г., стр. 14

[7] Корпорация Intel, «Новый продукт: Компоненты: новый ASSP подходит для мобильных приложений», Microcomputer Solutions, сентябрь/октябрь 1990 г., стр. 11

Производство полупроводниковых приборов

Масштабирование MOSFET ( узлы процесса )
0 20 мкм – 1968 0 10 мкм – 1971 00 6 мкм – 1974 00 3 мкм – 1977 1,5 мкм – 1981 г. 001 μm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 028 nm – 2010 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
Future 002 nm ~ 2025
Half-nodes Density CMOS Device (multi-gate) Moore's law Transistor count Semiconductor Industry Nanoelectronics
v t e